本文源自:財聯(lián)社

　　產(chǎn)品優(yōu)化產(chǎn)線滿產(chǎn)、產(chǎn)品綜合毛利率顯著改善，令士蘭微（600460.SH）2021年凈利有望創(chuàng)歷史新高，其業(yè)績增幅也位列目前A股半導體公司榜首。而公司持有的其他非流動金融資產(chǎn)增值也成為另一關(guān)注點。1月21日晚間，財聯(lián)社記者從士蘭微獲悉，公司目前訂單飽滿，產(chǎn)能壓力較大，尤其是高端Mos管供不應(yīng)求，無法滿足大客戶需求。

　　1月21日下午，士蘭微披露2021年年度業(yè)績預(yù)增公告，預(yù)計凈利比上年增加14.5億元-14.64億元，同比增長2145％-2165％。財聯(lián)社記者關(guān)注到，2021年士蘭微籌劃了股票期權(quán)激勵計劃，業(yè)績目標為2021-2024四年的累積營收相比2020年將增長767％。

　　值得一提的是，2021年士蘭微凈利大增原因之一，是其持有的其他非流動金融資產(chǎn)增值較多。具體為：安路科技于2021年11月在科創(chuàng)板上市，公司享有的凈資產(chǎn)份額按期末公允價值調(diào)整，導致凈利增加5.34億元；視芯科技2021年引入外部投資者，公司享有的凈資產(chǎn)份額按期末公允價值調(diào)整，導致凈利增加5229萬元。

　　對于業(yè)績預(yù)增原因，士蘭微表示，2021年公司基本完成了年初制定的產(chǎn)能建設(shè)目標，公司產(chǎn)品持續(xù)在白電、通訊、工業(yè)、光伏、新能源汽車等高門檻市場取得突破；電源管理芯片、MEMS傳感器、IPM（智能功率模塊）、MOSFET、IGBT、SBD、TVS、FRD、LED等產(chǎn)品營業(yè)利潤大幅度增加。需要指出的是，在備受關(guān)注的晶圓制造環(huán)節(jié)方面，2021年士蘭微控股子公司士蘭集昕8吋線基本保持滿產(chǎn)，實現(xiàn)全年盈利；另一控股子公司士蘭明芯LED芯片生產(chǎn)線也實現(xiàn)全年盈利。

　　財聯(lián)社記者關(guān)注到，近期有業(yè)內(nèi)人士指出，市場對士蘭微未來業(yè)績的擔憂主要集中在：Mos降價和IGBT被碳化硅替代。對此，士蘭微相關(guān)負責人對財聯(lián)社記者表示，碳化硅在汽車應(yīng)用上有一定的優(yōu)勢，但目前成本非常高，短期內(nèi)實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化困難較大，量方面滿足不了汽車的增長需求，所以IGBT是未來是主流，“如今IGBT性價比很高，且技術(shù)還在不斷提升，國際大廠包括英飛凌在內(nèi)，都認為IGBT和碳化硅未來是一個組合?！?/span>

　　產(chǎn)品矩陣豐富是士蘭微的主要優(yōu)勢之一。前述公司相關(guān)負責人進一步表示，公司SiC功率器件的中試線已在2021年二季度實現(xiàn)通線，但相關(guān)技術(shù)的發(fā)展和成熟需要時間。此外，士蘭微也在加碼化合物半導體領(lǐng)域，計劃逐步實現(xiàn)控股相關(guān)平臺公司。

　　至于Mos降價，目前市場上主要集中在平面Mos和低壓Mos，超結(jié)Mos價格依舊堅挺。據(jù)了解，目前士蘭微Mos中超結(jié)Mos占比已經(jīng)超過50％，因此平面Mos和低壓Mos降價其影響會逐漸變小。

　　目前，多家半導體板塊企業(yè)已披露業(yè)績預(yù)告。觀察來看，半導體行業(yè)整體維持業(yè)績高增速，且上游設(shè)計和晶圓制造的增速要高于封測：

　　晶圓制造和設(shè)計企業(yè)中，華潤微（688396.SH）預(yù)計去年凈利約22.09億元-22.33億元，增幅為1.29倍-1.32倍；力芯微（688601.SH）預(yù)估去年凈利1.6億元左右，增幅為1.39倍左右；新潔能（605111.SH）預(yù)計去年凈利潤同比增長192.78％-196.37％；主營芯片封測的晶方科技（603005.SH）預(yù)計，2021年凈利為5.5億元-5.75億元，同比增長44.65％-50.67％；半導體設(shè)備環(huán)節(jié)的北方華創(chuàng)（002371.SZ）預(yù)計，去年凈利潤9.40億元-12.08億元，同比增長75％-125％。